Монокристаллический кремниевый вафельный-Si-подложка-двусторонняя полировка-лист окна-покрытие-N/P тип опционально

Материал: высокая чистота Si одиночная кристаллическая подложка, N/P тип опционально, удельное сопротивление: 0,0001-100 ом, опционально.

Направленность: [111]/[100]/[110];

Плоскость: <1 микрон (измерение общей бороды)

Шероховатость поверхности: около 5 ангстромов (измерение поверхностной микроморфологии);

Применение:

1, PVD/CVD покрытие как подложка;

2. Используется в качестве основы для XRD (рентгеновский дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и т. Д.

3. Носитель образцов экспериментов с синхротронным излучением;

4. Подложка молекулярного эпитакси роста;

5, полупроводниковый процесс литографии и так далее.