10 шт. монокристаллическая силиконовая Вафля-Си-подложка-односторонняя Полировка-эпитакси вафель-покрытие-N/P опционально

Спецификация: один кристалл.4 × 4 × 0,4 ммПередача Длина волны:1200-14000nmОдносторонняя полировка, точечная.

Материал: Кремний высокой чистоты Si Одиночная кристаллическая подложка

Особенности: небольшой образец, более доступный

Модель роста: Czochralski

Кристалл & nbsp; Направление: [111]/[100]

Плоское; цельное; степень: <1 микрон

Применение применения:

1. PVD/CVD покрытие в качестве подложки;

2. Используется в качестве аналитических и испытательных субстратов для XRD, SEM, atomic force, инфракрасной спектроскопии, флуоресцентной спектроскопии,

3. Носитель образцов для синхротронного радиационного эксперимента;

4. Подложка для молекулярного роста эпитакси;

5. Технология полупроводниковой литографии и так далее.