Монокристаллическая силиконовая Вафля-Си-подложка-односторонняя Полировка-эпитакси вафель-покрытие-N/P опционально 10 штук

Заявление: все субстраты в нашем магазине обрабатываются физическими фабриками и оконными ломтиками./Подложка/Оптическая пленка покрытие

Класс полировка,Принимаем настройки размера.

Спецификация: один кристалл.4 × 4 × 0,4 ммС помощью Длина волны:1200-14000nmОдносторонняя полировка, точечная.

Материал: Кремний высокой чистоты Si Одиночная кристаллическая подложка

Для других спецификаций, пожалуйста, свяжитесь со службой поддержки клиентов для покупки.

Особенности: небольшой образец, более доступный

Произрастания рисунком: Czochralski

Кристалл направленности: [111]/[100]

Плоскость: ЛТ; 1 микрон

Назначение: 1. PVD/CVD покрытие в качестве подложки;

2. Он может быть использован в качестве аналитического и испытательного субстраты для РФА, SEM, атомно, инфракрасная спектроскопия и флюоресцентной спектроскопии.

3. Образец носителя для синхротронного излучения эксперимента;

4. основа для молекулярного роста эпитакси;

5. Технология полупроводниковой литографии и так далее.

'