Описание
SiO2 monooxygen (односторонняя полировка)
Особенности:Высокочистая Кремниевая si Одиночная кристаллическая подложка, N/P Тип опционально, сопротивление 0,0001-100 Ом, опционально
Роста режим:Straight без застежки
С украшением в виде кристаллов направленности:[111]/[100]
Это действительно плоский экран:<1 микрон (измеренная общая страница)
Область применения:1. PVD/CVD покрытие в качестве подложки
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентный спектральный анализ тестовая подложка, AFM (микроскоп атомной силы)
3. Synchrotron радиационный тест-носитель образца
4. Молекулярный пучок эпитаксиального роста подложки
5. Процесс полупроводниковой литографии и т. д.
Классификация:SiO2 monooxygen 5 × 5 мм; SiO2 monooxygen 10 × 10 мм;
SiO2 monooxy 15 × 15 мм; SiO2 monooxygen 10 × 20 мм;
SiO2 monooxygen 20 × 20 мм; SiO2 monooxygen 10 × 4 мм.
Примечание:Другие размеры могут быть настроены.






Характеристики
- Стандартный
- GB
- Габаритные размеры
- Single-sided polished high-purity small square
- Номер модели
- Single-sided polished high-purity small square
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Другое









