4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови
  • 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови

4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови

5 134 руб.

Описание

Храктеристика устройства:

1) Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 4 дюйма
3 диаметр и допуск: 100±0. 4 мм
4) Толщина: 525um
5 толщина оксида: 50 нм
6 Модель: P
7 Технические характеристики: перекись водорода
8:Сопротивление0,01-0,02/Омега•См
9 направление: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: PVD/CVD покрытие, магнетронное напыление, XRD, SEM, прирост атомной силы образца, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.

4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,01-0,02 Ом/см дюйм/модель = двойной кислорода в крови

Характеристики

Габаритные размеры
Silicon wafer thickness 525um/Oxide thickness 50nm
Номер модели
Crystal orientation 100/ Model P
Стандартный
GB
Наличие стандарта
Стандарт
Материал
Monocrystalline silicon

Сопутствующие товары