5 шт./лот IRFP4668PBF IRFP4668 MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC

Описание

Datasheets	IRFP4668PBF
Модули тренировки продукта	Высоковольтные интегральные схемы (водители ворот HVIC)
Ресурсы	IRFP4668PBF сабля модель IRFP4668PBF специй модель
ПХН в сборе/происхождения	Mosfet бэкенд обработка вафли 23/Oct/2013
ПХН упаковка	Посылка с обновлением чертежей 19/Aug/2015
Стандартный посылка	25
Категория	Дискретная полупроводниковые
Семья	Fetы-одиночный
Серия	HEXFET®
Упаковка	Трубка
Полевого транзистора Тип	MOSFET n-канал, оксид металла
Полевого транзистора Особенности	Стандартный
Слив в исходное напряжение (Vdss)	200 V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C	130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9,7 МОм @ 81A, 10 в
Vgs (th) (Max) @ Id	5 в @ 250 & micro; A
Заряд затвора (Qg) @ Vgs	241nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) @ Vds	10720pF @ с алюминиевой крышкой, 50В
Мощность-макс	520 W
Операционной Температура	-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Монтажный Тип	Сквозное отверстие
Посылка/Чехол	TO-247-3
Информация о поставщике устройство посылка	TO-247AC
Онлайн каталог	N-канальный стандарт FETs